【半導体】ON Semi、CMOSイメージセンサの高効率3Dスタッキング技術を発表
掲載日:2015年1月9日
ON Semiconductorは1月8日、従来のモノリシックの非スタック型設計と比較してダイサイズ、ピクセル性能、および消費電力を改善し、全機能を搭載したスタック型CMOSイメージセンサの特性評価および実証に成功したと発表した。モノリシック基板プロセスによる従来のセンサ設計では、ピクセル配列と下層の回路をサポートするために別々のダイエリアが必要である。
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掲載日:2015年1月9日
ON Semiconductorは1月8日、従来のモノリシックの非スタック型設計と比較してダイサイズ、ピクセル性能、および消費電力を改善し、全機能を搭載したスタック型CMOSイメージセンサの特性評価および実証に成功したと発表した。モノリシック基板プロセスによる従来のセンサ設計では、ピクセル配列と下層の回路をサポートするために別々のダイエリアが必要である。
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