【ナノテク】ナノワイヤ量子ドットレーザの室温動作に成功 東大
日経プレスリリース
InGaAs/GaAs量子ドットを埋め込んだナノワイヤの概念図。aは全体図、bは水平断面図、cは垂直断面図
InGaAs/GaAs量子ドットを埋め込んだナノワイヤ。aは走査電子顕微鏡像、bとcは断面電子透過顕微鏡像
ナノワイヤ量子ドットレーザの室温(300K)における実験データ。
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InGaAs/GaAs量子ドットを埋め込んだナノワイヤの概念図。aは全体図、bは水平断面図、cは垂直断面図
InGaAs/GaAs量子ドットを埋め込んだナノワイヤ。aは走査電子顕微鏡像、bとcは断面電子透過顕微鏡像
ナノワイヤ量子ドットレーザの室温(300K)における実験データ。
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