【材料科学/半導体工学】ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 次世代高速デバイスの有力材料に浮上 東工大など
図1.ビスマス薄膜の半金属半導体転移(理論)。3次元の厚いビスマスは(a)のような半金属だが、30nm程度の厚さの薄膜にすると(b)のような半導体になることが予想された。
図2. 角度分解光電子分光法の原理
図3.測定された実験データ。(a)はエネルギーと運動量のイメージを示しており、(b)が光電子分光強度のスペクトル。
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