【材料科学】薄膜積層化で整数量子ホール効果を従来より高温・弱磁場で実現 理研など
図1 新しい素子構造における整数量子ホール効果の概念図
(a) トポロジカル絶縁体における整数量子ホール効果は磁場(黄色矢印)の効果で実現する。(b) 磁性トポロジカル絶縁体における異常量子ホール効果は試料内の磁化(青矢印)の効果で実現する。(c) 個々の単独の効果では極低温でしか整数量子ホール効果を実現できないが、両者を積層構造として組み合わせることで、より高い温度・弱い磁場で整数量子ホール効果を実現できる。