【半導体】サムスン電子、3Dフラッシュメモリーに25兆ウォン投資へ
メモリー半導体の覇者、サムスン電子が3D(3次元)NAND型フラッシュメモリーに大々的に投資する計画だ。投資額は来年までで25兆?。莫大な投資で東芝やマイクロンなどライバル企業を引き離し、メモリー分野に新規参入したインテルや中国XMC(武漢新芯)などが市場に足を踏み入れられないようにするという戦略だ。
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