【半導体】東芝、世界初の64層3次元フラッシュメモリー生産開始
東芝は27日、64層の3次元メモリー半導体「NAND型フラッシュメモリー」のサンプル出荷を世界で初めて開始したと発表した。これまで48層で容量256ギガビット品を生産してきたが、64層の製造技術を実用化した。2017年前半に容量256ギガビットで量産出荷を開始する予定で、将来的には512ギガビットの製品化も計画している。
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