【半導体】韓国SKハイニックス、72層メモリー量産 NAND型で最高
韓国SKハイニックスは22日、記憶素子を立体的に積む最先端の3次元半導体で、2017年後半から72層のNAND型フラッシュメモリーを量産すると発表した。現時点で最高水準のサムスン電子の64層を上回る。既に計画を明らかにしている新工場棟の投資額は、建屋とクリーンルームの合計で2兆2千億ウォン(約2200億円)を見込む。
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韓国SKハイニックスは22日、記憶素子を立体的に積む最先端の3次元半導体で、2017年後半から72層のNAND型フラッシュメモリーを量産すると発表した。現時点で最高水準のサムスン電子の64層を上回る。既に計画を明らかにしている新工場棟の投資額は、建屋とクリーンルームの合計で2兆2千億ウォン(約2200億円)を見込む。
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