【半導体】韓国SKハイニックス、128層の4D NAND世界初開発
SKハイニックスが世界で初めて128層の4D NAND型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期(7-12月)に製品の量産に入る。従来の96層の4D NANDと比較すると生産性が40%向上するという。SKハイニックスは26日、「128層1テラビット(Tb)TLC(Triple Level Cell)4D NAND型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。
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