→GAA構造のトランジスタ採用、5nmから性能23%向上→半導体受託生産でトップのTSMC追撃に弾み韓国のサムスン電子は30日、3ナノメートル(nm)半導体の量産を開始したと発表した。最先端の半導体製造を競い合う台湾積体電路製造(TSMC)に先行した。サムスンの資料によれば、同社の3nm製品はいわゆる「全周ゲート型(GAA)」構造のトランジスタを採用することで、5nm半導体と比べ電力消費を最大45%減らし、性能を23%向上させた。

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