【韓国】サムスン、10ナノ非メモリー半導体の量産開始=世界初 来年発売予定のギャラクシーS8に搭載へ
サムスン電子は17日、回路の線幅が10ナノメートル(1ナノは10億分の1)の非メモリー半導体の量産を世界で初めて開始したと発表した。メモリー半導体で世界1位のサムスン電子が、非メモリー分野でも最高レベルの技術力を証明したことになる。従来の最先端製品の線幅は14ナノメートルだった。半導体は線幅が細くなるほど生産性と性能が向上するため、線幅を細くすることが核心技術とされる。
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