【韓国】メモリー業界に危機、米マイクロンが高性能のHBM開発に相次ぎ成功=韓国ネット「当然の結果」
2024年6月2日、韓国・電子新聞は「HBM(High Bandwidth Memory、広帯域メモリー)市場に遅れて参入した米マイクロン・テクノロジーが、SKハイニックスやサムスン電子より高性能のHBM開発に相次ぎ成功し、韓国メモリーを脅かす存在に急浮上している」と伝えた。業界によると、マイクロンの次世代HBM新製品は低電力性能評価で優秀な結果を出しており、SKハイニックス、サムスン電子より優位に立っている。
