【半導体】GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。
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