【半導体】東芝がQLCの3D NANDを試作、96層プロセスの開発も 1.5Tバイトのパッケージ品も[6/28]4ビット/セルの3D NANDは「世界初」同社
2017年06月28日 14時54分 更新
東芝メモリは、同社の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」について、4ビット/セル(QLC)技術を用いた試作品と、96層積層プロセスを用いた試作品を開発し、基本性能を確認したと発表した。
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2017年06月28日 14時54分 更新
東芝メモリは、同社の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」について、4ビット/セル(QLC)技術を用いた試作品と、96層積層プロセスを用いた試作品を開発し、基本性能を確認したと発表した。
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