【半導体】ST、EV車や太陽光システムなど向けに1200V耐圧のSiCパワーMOSFETを発表
STMicroelectronicsは2月10日、広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。同製品は、1200V耐圧パワーMOSFETで、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。
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