【半導体】IBM、7ナノメートルプロセスの極小半導体を試作 一部にシリコンゲルマニウムを追加
革新のペースを維持しようとする半導体メーカーは、最近ではコスト問題に直面している。しかし、IBMの研究員は、競争相手に差を付ける画期的な成果を達成した。IBMは9日、7ナノメートル(ナノは十億分の一)の生産プロセスを用いた半導体試作品の開発について明らかにした。現在市場で販売される14ナノメートルの半導体よりも大幅に小型化した半導体で、微細化をめぐる競争でライバルに先行する構えだ。
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革新のペースを維持しようとする半導体メーカーは、最近ではコスト問題に直面している。しかし、IBMの研究員は、競争相手に差を付ける画期的な成果を達成した。IBMは9日、7ナノメートル(ナノは十億分の一)の生産プロセスを用いた半導体試作品の開発について明らかにした。現在市場で販売される14ナノメートルの半導体よりも大幅に小型化した半導体で、微細化をめぐる競争でライバルに先行する構えだ。
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