【材料科学/電子工学】新たな二次元材料・二硫化ハフニウムでトランジスタを開発 グラフェンの先へ
要点
新たな二次元材料・二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたトランジスタを開発した電流電圧測定でオン/オフ比104のトランジスタ動作と、電気二重層ゲート構造を用いた高い電流密度を確認した低消費電力と高速動作を両立させる新材料として期待概要
東京工業大学 工学院 電気電子系の宮本恭幸教授らと理化学研究所、岡山大学からなる共同研究チームは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタ[用語1]を開発した。