【半導体】IBM・GF・サムスン、線幅5ナノの半導体製造プロセスにめど
線幅5ナノメートルのトランジスタを作りこんだシリコンウエハー(米IBM提供)米IBM、半導体受託製造大手の米グローバルファウンドリーズ(GF)、韓国・サムスン電子などで構成される研究コンソーシアムは、線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体チップを可能にする業界初の製造プロセスを開発した。線幅10ナノメートルの現行チップの次々世代の半導体で、実用化されれば10ナノチップに比べ、40%の性能向上と75%の省電力化が見込めるという。
