【次世代メモリ】東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発
東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発著者:波留久泉
東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)は6月1日、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究により、0.7～1.2Vという低い動作電圧、10年のデータ保持時間と100兆回の書き換えが可能な長寿命の強誘電体メモリを開発することに成功したと発表した。
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