【半導体デバイス】産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功
産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功著者:波留久泉
産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシックパワーIC」のスイッチング動作を実証することに成功したと発表した。
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