【半導体技術】産総研など、SiCウェハの鏡面研磨を従来比で12倍高速化する技術を開発
産総研など、SiCウェハの鏡面研磨を従来比で12倍高速化する技術を開発著者:波留久泉
産業技術総合研究所(産総研)、ミズホ、不二越機械工業の3者は9月1日、次世代パワー半導体材料であるSiCウェハの平坦化を高速で実現する新たな研磨技術を開発したことを発表した。同成果は、産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム 加藤 智久 研究チーム長らの共同研究チームによるもの。
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