【半導体技術】JSTなど、SiCパワー半導体の高発熱密度化に対応した冷却システムを開発
JSTなど、SiCパワー半導体の高発熱密度化に対応した冷却システムを開発著者:波留久泉
科学技術振興機構(JST)、大阪大学発のベンチャーであるロータス・サーマル・ソリューション、山口東京理科大学(山口理科大)の3者は9月21日、パワー半導体において面積当たりの消費電力が増加して素子の耐熱限界が近づいている状況に対応可能な高効率な沸騰冷却器を開発したことを発表した。
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