【半導体】産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発
産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発産業技術総合研究所(産総研)は4月27日、窒化物半導体、特に「窒化インジウム」(InN)や、インジウム含有率の大きい「窒化インジウムガリウム」(InGaN)に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発したと発表した。
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