【材料】NIMS、有機トランジスタの負性抵抗の起源を「伝導電子の可視化」で解明
NIMS、有機トランジスタの負性抵抗の起源を「伝導電子の可視化」で解明物質・材料研究機構(NIMS)は6月3日、室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象(負性抵抗)を示す有機pn接合トランジスタ(アンチ・アンバイポーラトランジスタ)の負性抵抗の起源について、光電子顕微鏡による「伝導電子を可視化」する技術により明らかにしたと発表した。
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NIMS、有機トランジスタの負性抵抗の起源を「伝導電子の可視化」で解明物質・材料研究機構(NIMS)は6月3日、室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象(負性抵抗)を示す有機pn接合トランジスタ(アンチ・アンバイポーラトランジスタ)の負性抵抗の起源について、光電子顕微鏡による「伝導電子を可視化」する技術により明らかにしたと発表した。
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