【半導体】東芝など、ダブルゲート構造の逆導通型IEGTの開発に成功
東芝など、ダブルゲート構造の逆導通型IEGTの開発に成功著者:波留久泉
東芝デバイス&ストレージと東芝は6月15日、電力の制御などに用いられるパワー半導体において、ダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の「逆導通型IEGT」(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)を開発し、従来のゲート制御を行わないシングルゲート構造と比較して電力のオン/オフが切り替わるスイッチング時の電力損失(スイッチング損失)を24%低減できることを確認したと発表した。