【光学】横国大、「光ランダムアクセス量子メモリ」の原理実証に成功
横国大、「光ランダムアクセス量子メモリ」の原理実証に成功著者:波留久泉
横浜国立大学(横国大)は7月29日、ダイヤモンド中の「窒素-空孔中心」(NV中心)からなるスピン量子ビットを、独自の手法で高空間分解能かつ高忠実度に制御し、「光ランダムアクセス量子メモリ」の原理実証をすることに成功したと発表した。
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