【物理】東大、反強磁性体「Mn3Sn」で異常ホール効果の符号が制御可能なことを実証
東大、反強磁性体「Mn3Sn」で異常ホール効果の符号が制御可能なことを実証東京大学(東大)は8月19日、磁化をほとんど持たないにもかかわらず、室温で巨大な異常ホール効果を示す、マンガンとスズからなる反強磁性体「Mn3Sn」において、一軸性の歪み(ひずみ)によって異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証したと発表した。
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東大、反強磁性体「Mn3Sn」で異常ホール効果の符号が制御可能なことを実証東京大学(東大)は8月19日、磁化をほとんど持たないにもかかわらず、室温で巨大な異常ホール効果を示す、マンガンとスズからなる反強磁性体「Mn3Sn」において、一軸性の歪み(ひずみ)によって異常ホール効果の符号が制御可能であることを実証したと発表した。
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