【半導体】半導体の無電解Cuめっき処理で生じるナノボイドを抑制する手法、阪大が考案
半導体の無電解Cuめっき処理で生じるナノボイドを抑制する手法、阪大が考案大阪大学(阪大)は8月23日、奥野製薬工業が開発しためっき技術「OPC FLETプロセス」を先端半導体基板(ビア径60μm)に適用し、内層銅と無電解めっき界面の断面を透過電子顕微鏡で詳細に解析したところ、従来プロセスでは100nm以下のボイドが多数確認されるところ、OPC FLETプロセスでは界面ナノボイドがなく、その発生を抑制できることを実証したと発表した。