【半導体技術】次世代半導体の量産技術確立へ一歩、九大が六方晶窒化ホウ素とグラフェンの大面積積層技術を開発
次世代半導体の量産技術確立へ一歩、九大が六方晶窒化ホウ素とグラフェンの大面積積層技術を開発九州大学の深町悟研究スタッフとパブロ・ソリス―フェルナンデス特任准教授、吾郷浩樹主幹教授らは7日、六方晶窒化ホウ素(hBN)とグラフェンの大面積積層技術を開発したと発表した。5センチメートル角サイズの原子シートを貼り合わせる。
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次世代半導体の量産技術確立へ一歩、九大が六方晶窒化ホウ素とグラフェンの大面積積層技術を開発九州大学の深町悟研究スタッフとパブロ・ソリス―フェルナンデス特任准教授、吾郷浩樹主幹教授らは7日、六方晶窒化ホウ素(hBN)とグラフェンの大面積積層技術を開発したと発表した。5センチメートル角サイズの原子シートを貼り合わせる。
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