【半導体デバイス】東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功
東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで、電極界面が選択的に還元されることを見出し、同トランジスタの安定性を維持したまま接触抵抗を約3桁低減させることに成功したと発表した。
2ちゃんねるニュース速報+ナビ
東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで、電極界面が選択的に還元されることを見出し、同トランジスタの安定性を維持したまま接触抵抗を約3桁低減させることに成功したと発表した。
このサイトは5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)のニュース速報+系掲示板の書き込みを自動解析し、人気の高いニュース及び最新のニュースをリアルタイムで提供しています。
2NN現在閲覧者数 6434人/10min
5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)ニュース速報+系掲示板の情報をそれぞれ1分~10分間隔で自動取得・解析更新しています。
開発・運営:中島竜馬