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【半導体】佐賀大など、ダイヤモンド半導体パワーデバイスを用いて世界最高出力を達成 出力電圧2568V
佐賀大など、ダイヤモンド半導体パワーデバイスを用いて出力電圧2568Vを達成著者:波留久泉 佐賀大学とアダマンド並木精密宝石は5月10日、ダイヤモンド半導体によるパワー半導体デバイスを用いて、従来の出力電力記録...
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【電子工学】世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ
ポイント ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製しました。同MOSFETで、低消費電力のパワーデバイスに要求されるノーマリーオフ特性が実現されていることを実証しました。...
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【半導体工学】高電圧耐性・低損失性を併せ持つ次世代パワーデバイス材料を開発 NEDOなど
酸化ガリウムエピウエハの断面構造と写真表面粗さと成長温度の関係キャリア濃度とドーパント原料セル温度の関係NEDOプロジェクトの成果を活用して、情報通信研究機構、東京農工大学、(株)タムラ製作所らの研究チーム...