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【不揮発メモリ】産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善 極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化
産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化 ■400℃で熱処理した後もTMRが大きく、高い制御効率を保持産業技術総合研究所(産総研)新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチ...
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産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化 ■400℃で熱処理した後もTMRが大きく、高い制御効率を保持産業技術総合研究所(産総研)新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチ...
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