「不揮発性」のニュース一覧
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★科学ニュース＋ 24res 0.0res/h
インクジェットプリンターで作成できる液滴レーザーディスプレイを開発 筑波大学、産総研
インクジェットプリンターで作成できる液滴レーザーディスプレイを開発 筑波大学、産総研筑波大学は2024年12月19日、産業技術総合研究所、科学技術振興機構と共同で、インクジェットプリンターでレーザー発光する液...
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★科学ニュース＋ 34res 0.0res/h
【メモリ】量子力学を応用した新型メモリ、DRAMより速くフラッシュ並みの不揮発性
量子力学を応用した新型メモリ、DRAMより速くフラッシュ並みの不揮発性量子力学の井戸型ポテンシャルを超格子構造で実現、英国のスタートアップQuinas Technology社は、メモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2...
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★科学ニュース＋ 57res 0.0res/h
【量子力学】英ランカスター大、DRAM並の速度かつ100分の1の消費電力で動作する不揮発性メモリ「ULTRARAM」
英ランカスター大学は7日、DRAM並みの速度を実現する不揮発性メモリ「ULTRARAM」を発表した。Transactions on Electron Devices誌に掲載された、ランカスター大物理学研究チームの論文によれば、ULTRARAMと称するメ...
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★科学ニュース＋ 78res 0.0res/h
【テクノロジー】アルミ酸化膜を用いた新しい不揮発性メモリの動作メカニズムを解明
国立研究開発法人日本原子力研究開発機構(JAEA)と大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構(KEK)は2019年11月14日,JAEA物質科学研究センター多重自由度相関研究グループの久保田 正人研究副主幹,国立研究開発...
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★ビジネスニュース＋ 232res 0.2res/h
【PC】Intel、DDR4スロットに挿せる1枚で512GBの「Optane DC」不揮発性メモリ
米Intelは30日(現地時間)、DDR4メモリのスロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリを発表した。PCI Expressではなくメモリスロットに装着するため、低レイテンシと高速性を実現。その一方で従来のDRAMとは異なり...
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★ビジネスニュース＋ 132res 0.4res/h
【IT】Java 10が本日付で正式リリース。ローカル変数の型推論、ガベージコレクタが入れ替え可能、不揮発性メモリ対応など
昨年9月に登場したJava 9から、Javaは6カ月ごとのタイムベースによるアップデートサイクルが採用されました。そしてその最初のワンサイクルが経過し、今日3月20日付けでJava 9の次のメジャーバージョンアップとなるJ...
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★ニュース速報＋ 153res 2.4res/h
【技術】インテル、ついに不揮発性のメインメモリを発表 データの保持に電力を必要とせず二次記憶装置としてのストレージが不要に★4
現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電...
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★ニュース速報＋ 1001res 40res/h
【技術】インテル、ついに不揮発性のメインメモリを発表 データの保持に電力を必要とせず二次記憶装置としてのストレージが不要に★3
現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電...
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★ニュース速報＋ 1001res 69res/h
【技術】インテル、ついに不揮発性のメインメモリを発表 データの保持に電力を必要とせず二次記憶装置としてのストレージが不要に★2
現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電...
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★ニュース速報＋ 1001res 516res/h
【技術】インテル、ついに不揮発性のメインメモリを発表 データの保持に電力を必要とせず二次記憶装置としてのストレージが不要に
現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電...
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★ビジネスニュース＋ 49res 0.1res/h
【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発
周藤瞳美 [2017/05/19] 産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。...
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★科学ニュース＋ 34res 0.0res/h
【技術】従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー 人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術
ポイント • ナノメートルの「すきま」を利用するナノギャップメモリーの高温耐性を実現 • 耐熱性を有する白金ナノ構造を利用することで従来を大きく上回る600 ℃超での書き換え・記録技術を実現 •...
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★科学ニュース＋ 20res 0.0res/h
【技術】マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功 大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に寄与
ポイント 特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製することに世界で初めて成功。結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。次世代の低消費電力...
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★ビジネスニュース＋ 49res 0.1res/h
【ストレージ】進む不揮発性メモリの開発 SSDよりも大きな変化に?
Wintel同盟が戻ってきた。NAND型フラッシュメモリのSSDは、この10年でストレージ業界に革命を起こした。しかし、不揮発性メモリ(NVM)はSSDよりもはるかに大きな革命を起こすかもしれない。その背後にいるのはIntelと...
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★科学ニュース＋ 25res 0.0res/h
【技術】電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価 超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリーの実現に道筋
ポイント 不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器...
