九大などがMoS2ナノリボンのトランジスタ動作を実証、次世代半導体への応用に期待九州大学(九大)は1月9日、半導体性の二次元物質である二硫化モリブデン(MoS2)のナノリボンを化学蒸着法(CVD)を用いてサファイア基板...

阪大、青色波長帯で実用的な小型「波長可変半導体レーザー」を開発大阪大学(阪大)は11月11日、作製が容易な周期スロット構造を窒化物半導体レーザーに適用することで、青色波長帯において小型で実用的な「波長可変半...

東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで...

窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名...

京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋著者:小林行雄 京都大学(京大)は、大阪大学ならびにTDKとの共同研究によりシリコンスピントランジスタに、新たなスピン物性を発見したことを発...

産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功著者:波留久泉 産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシッ...

□「3D XPointメモリ」は「メモリ製品」ではないという皮肉な現実 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Me...