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【物理】静岡大など、困難だったシリコントランジスタ上での電子正孔共存系を実現
静岡大など、困難だったシリコントランジスタ上での電子正孔共存系を実現静岡大学と島根大学の両者は11月1日、高速な電気的制御により、シリコントランジスタ上で電子と正孔を同時に存在させることに成功し、そこで...
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【半導体】高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発
高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発東京工業大学(東工大)は9月14日、正孔輸送材料の性能を向上させる等原子価の不純物を用いた正孔ドーピング法を新たに開発したことを発表し...
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【半導体】高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功
高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功著者:波留久泉 物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移...
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【材料科学】電子・正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 グラフェンを超える電子デバイス応用へ道
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の菅原克明助教、一杉太郎教授、高橋隆教授、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、グラフェンを超える電子デバイスへの応用が期待されているチタン・セレン...