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★科学ニュース+ 23res 0.0res/h
【半導体工学】世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発 待機電力ゼロのトランジスタ実現へ道を拓く
ポイント •半導体酸化ガリウムをトンネル障壁層とした全単結晶トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発• 半導体系TMR素子として室温における世界最高性能(磁気抵抗変化率92 %)を達成 • 超省電力トランジ...
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★科学ニュース+ 20res 0.0res/h
【技術】マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功 大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に寄与
ポイント 特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製することに世界で初めて成功。結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。次世代の低消費電力...