量研機構、元素比が崩れても大きな電子移動度を維持する量子材料を発見量子科学技術研究開発機構(QST)は2月21日、元素比率1:1の時に持つ極めて大きい電子移動度を持つと考えられてきた量子材料の1つ「ヒ素化タンタル...

高正孔濃度かつ高移動度のp型半導体の薄膜を作製する技術、東北大などが開発東京工業大学(東工大)は9月14日、正孔輸送材料の性能を向上させる等原子価の不純物を用いた正孔ドーピング法を新たに開発したことを発表し...

東大、「分子軌道混成」のバンド構造により高移動度の有機半導体を開発東京大学(東大)は6月17日、「分子軌道混成」を強く反映したバンド構造により高移動度を発現する有機半導体を開発したことを発表した。同成果は...

高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功著者:波留久泉 物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移...

理研、超高キャリア移動度の有機半導体材料を開発著者:波留久泉 理化学研究所(理研)は7月5日、「30cm2/Vs」を超える極めて高いキャリア移動度を有し、なおかつ低電圧で駆動できる有機半導体材料を発見したと発表した...

今回開発された液晶性有機トランジスタ材料「Ph-BTBT-10」の化学構造 Ph-BTBT-10の多結晶薄膜を用いたトランジスタの動作特性東京工業大学(東工大)は4月10日、液晶性を付与した高性能な有機トランジスタ材料の開発に...