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【半導体】窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成
窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名...
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【材料科学】レアアースを添加せずに窒化物で世界最高水準の圧電性能を実現 スカンジウム添加窒化アルミニウムと同等の性能
ポイント •窒化アルミニウムにマグネシウムとニオブを添加して世界最高水準の性能を持つ圧電材料を開発•レアアースのスカンジウムを使わずに安価なマグネシウムとニオブで圧電性能を向上• 次世代...