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【材料】名大がMg挿入GaN型超格子の形成に成功、P型GaNデバイスの性能向上に期待(Nature)
名大がMg挿入GaN型超格子の形成に成功、P型GaNデバイスの性能向上に期待名古屋大学(名大)は7月4日、GaNと金属マグネシウム(Mg)の簡単な熱反応により、独特な超格子構造が形成されることを確認し、P型GaNベースデバイ...
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【半導体】FeAs-InAs単結晶超格子構造の作製に成功 東大など
東京大学ら、FeAs-InAs単結晶超格子構造を作製超格子構造全体が強磁性状態に ■低温分子線エピタキシー結晶成長法で実現 東京大学らの研究グループは2021年7月、InAs(インジウムヒ素)半導体結晶中のほぼ1原子層の平...
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【半導体技術】東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功
東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功著者:波留久泉 東京大学(東大)、東北大学、科学技術振興機構(JST)の3者は7月7日、InAs半導体結晶中にFe原子をほぼ1原子層の平面内に配列した「FeAs-InAs単...