-
★科学ニュース+ 8res 0.0res/h
【半導体】FeAs-InAs単結晶超格子構造の作製に成功 東大など
東京大学ら、FeAs-InAs単結晶超格子構造を作製超格子構造全体が強磁性状態に ■低温分子線エピタキシー結晶成長法で実現 東京大学らの研究グループは2021年7月、InAs(インジウムヒ素)半導体結晶中のほぼ1原子層の平...
-
★科学ニュース+ 11res 0.0res/h
【半導体技術】東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功
東大など、磁性元素を配列した強磁性超格子構造の作製に成功著者:波留久泉 東京大学(東大)、東北大学、科学技術振興機構(JST)の3者は7月7日、InAs半導体結晶中にFe原子をほぼ1原子層の平面内に配列した「FeAs-InAs単...