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【半導体】NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へ
NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へNTT物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。絶...
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【半導体】東大、極めて低い消費電力で動くトンネル電界効果トランジスタを開発
掲載日:2014/12/15 東京大学は12月15日、極低電圧での動作が可能な新しい構造のトンネル電界効果トランジスタを開発したと発表した。同成果は、同大大学院 工学系研究科の高木信一教授らによるもの。詳細は、国際会...