「FET」のニュース一覧
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★芸能･スポーツ速報＋ 34res 0.3res/h
【Lifetime Respect】山崎育三郎、三木道山が大ヒット曲披露で「やった! バンザーイ!!」と笑顔に
2023/03/01 18:00 テレビ朝日系バラエティ番組『NEWニューヨーク』(毎週水曜23:45～※一部地域を除く)がきょう1日に放送される。1986年生まれの山崎育三郎に刺さる「なつかしーモノ」を、同じく1986年生まれの...
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★科学ニュース＋ 6res 0.0res/h
【半導体】高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功
高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功著者:波留久泉 物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移...
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★科学ニュース＋ 18res 0.0res/h
【半導体デバイス】京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋
京大、シリコンの新たなスピン物性を発見 - スピンMOSFETの小型化に道筋著者:小林行雄 京都大学(京大)は、大阪大学ならびにTDKとの共同研究によりシリコンスピントランジスタに、新たなスピン物性を発見したことを発...
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★科学ニュース＋ 25res 0.0res/h
【半導体デバイス】産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功
産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功著者:波留久泉 産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシッ...
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★ビジネスニュース＋ 6res 0.0res/h
【技術】Samsung、第2世代10nm FinFET SoCの量産を開始。来年初頭には採用製品が登場
Samsung Electronicsは11月29日、同社第2世代の10nm FinFETプロセスで製造されたSoCが量産体制に入ったと発表した。第2世代の10nm FinFETプロセスは「10LPP(Low Power Plus)」技術とされており、第1世代の10LPE(Lowe...
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★ニュース速報＋ 89res 0.7res/h
【トヨタ】衝突被害軽減ブレーキを含む「Toyota Safety Sense」 第2世代版を2018年より導入
■トヨタの予防安全パッケージ「Toyota Safety Sense」とは 衝突被害軽減ブレーキ(自動ブレーキ)を含むトヨタの予防安全パッケージ「Toyota Safety Sense」には、現在、主に普及価格帯モデル向けの「Toyota Safety S...
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★ニュース速報＋ 36res 0.3res/h
【半導体】IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表 FinFET代替なるか
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。[R. Colin Johnson,...
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★ニュース速報＋ 583res 4.8res/h
【経済/車】トヨタ、新型「ハリアー」を発売 ｢Toyota Safety Sense P｣とターボエンジンを搭載
トヨタ自動車株式会社は、ハリアーをマイナーチェンジし、全国のトヨペット店を通じて6月8日に発売した。今回のマイナーチェンジでは、「ハリアーネスのさらなる進化」をテーマとした。動力性能では、滑らかで爽快な...
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★科学ニュース＋ 22res 0.0res/h
【材料】NIMS、2種のMOSFETを組み合わせたダイヤモンド論理回路チップを開発
周藤瞳美 [2017/05/31] 物質・材料研究機構(NIMS)は5月31日、過酷環境下に強いダイヤモンド集積回路を開発するための第一歩として、2種類の動作モードを持つ金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を組み...
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★芸能･スポーツ速報＋ 16res 12res/h
【音楽】SOFFetが3年半ぶりニューアルバム発売、SP盤は2人の直筆サイン付き
SOFFetがニューアルバム「Love Letter Poetry」を明日2月15日にリリースする。2013年に発表した「THE SWING BEAT STORY」から約3年半ぶりのアルバムとなる今作。結成20周年を経て作られた新曲をはじめ、彼らのデビュ...
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★科学ニュース＋ 54res 0.0res/h
【電子工学】世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ
ポイント ダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製しました。同MOSFETで、低消費電力のパワーデバイスに要求されるノーマリーオフ特性が実現されていることを実証しました。...
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★芸能･スポーツ速報＋ 18res 0.4res/h
【音楽】R・ケリーの新アルバム『The Buffet』が12月リリース
R・ケリー(R. Kelly)の新アルバム『The Buffet』が12月リリース。日本盤は12月16日、海外盤は12月11日にそれぞれ予定されています。スタジオ・アルバムの発表は2013年の『Black Panties』以来。通算13作目。レコーデ...
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★ニュース速報＋ 103res 0.8res/h
【IT】阪大、赤ちゃん型ロボ「Affetto」の基本骨格を開発-動き柔軟でしなやか
掲載日 2015年08月06日 頭部に皮膚を実装したAffettoの完成イメージ(阪大提供)大阪大学大学院工学研究科の石原尚助教らの研究グループは、赤ちゃん型ロボット「Affetto(アフェット)」の基本骨格を開発した。駆動装置...
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★ビジネスニュース＋ 91res 0.1res/h
【技術】トラックのリアドアにモニターを設置し前方表示、追い越し時の事故を減らす「Safety Truck」を開発
2車線対面通行の道路で大型トラックの後ろを走っている場合、トラック前方の交通状況を把握するのは困難だ。追い抜きたくても、対向車線にクルマが走っているのかがわからないので、トラックの後ろをいつまでもつい...
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★ニュース速報＋ 23res 0.1res/h
【半導体】TSMC、2015年半ばに16nm FinFETの量産開始へ
TSMC、2015年半ばに16nm FinFETの量産開始へ (1/2)TSMCは、16nmプロセス以降のロードマップを明らかにした。まずは2015年半ばに、16nm FinFET+を適用したチップの量産を開始する。2016年には、10nmチップの生産工場...
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★科学ニュース＋ 18res 0.0res/h
【半導体】ST、EV車や太陽光システムなど向けに1200V耐圧のSiCパワーMOSFETを発表
STMicroelectronicsは2月10日、広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。同製品は、1200V耐圧パワーMOSFETで、電気・ハイブリッド自...
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★ニュース速報＋ 28res 0.3res/h
【IT】TSMCが16nm FinFET Plusのリスク生産を開始、16nm FinFETより15%高性能
台湾TSMCは、16nm FinFET Plus(16FF+)プロセスでのリスク生産を開始した。16FF+は同社の 16FFプロセスのエンハンストバージョンで、15%性能が向上したという。...
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★ニュース速報＋ 41res 0.7res/h
【経済】TSMCが設備投資額を100億ドルに拡大、16nm FinFET量産準備で
TSMCは2014年10月16日、2015年の設備投資額を100億米ドル以上に増額する予定であると発表した。16nm FinFETプロセスを適用したチップの実用化に向け、生産を加速させていきたい考えだ。TSMCのCo-CEO(共同最高経営責...
