東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功東京大学(東大)、理化学研究所(理研)、科学技術振興機構(JST)の3者は7月21日、不揮発性メモリの超高速化・超低消費電力化を実現可能にする材...

理科大、次世代MRAM「SOT-RAM」の信頼性を向上させる読み出し方式を開発著者:波留久泉 東京理科大学(理科大)は3月17日、「スピン軌道トルクメモリ」(SOT-RAM)の読み出し信頼性を向上させるため、新たな読み出し経路...

ファンデルワールス力で異種結晶界面の結合に成功、次世代MRAMへの利用に期待著者:波留久泉 東北大学、高エネルギー加速器研究機構(KEK)、神戸大学、東京工業大学(東工大)、早稲田大学(早大)、パリ-サクレー大学、フ...

産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化 ■400℃で熱処理した後もTMRが大きく、高い制御効率を保持産業技術総合研究所(産総研)新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチ...

原子層制御により磁気メモリー素子の平坦性および磁気安定性を改善次世代不揮発性磁気抵抗メモリーMRAMの開発を加速・原子層レベルで制御されたタンタルを下地に用いることで磁気記憶層を平坦化することに成功・磁気...

電子が持つ磁石の性質(スピン)を利用した「磁気記録式メモリー(MRAM)」が普及期を迎えている。東北大学の研究を起点に、ソニーグループなどが技術開発を進める。半導体の微細化に限界が近づく中、MRAMは微細化とは異...

□次世代メモリの立ち位置を再確認する 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」でMKW Ventu...

東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するDRAMの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業...

周藤瞳美　[2017/05/19] 産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。...

ポイント 特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製することに世界で初めて成功。結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。次世代の低消費電力...

ポイント •極薄コバルト層の開発により記憶安定性を2倍に向上• 記憶素子の低素子抵抗特性を併せ持つ垂直磁化トンネル接合を実現 •20ナノメートル以下世代の大容量STT-MRAM開発を加速概要 国立研究...

★記憶容量が現行メモリの10倍&消費電力は3分の2の次世代メモリ「MRAM」を日米20社の半導体企業が共同開発、いよいよ量産化が明確に現行のDRAMに代わる次世代メモリとして期待される「MRAM」を、マイクロン・東京エ...