【半導体】東芝、64層の新型メモリー量産へ サムスンは昨年実現
東芝は22日、半導体の記憶装置であるNAND型フラッシュメモリーで、64層のシートを重ねて3次元の構造にし、容量を64GBに増やした製品のサンプル出荷を2月上旬に始めたと発表した。今年後半に量産を始める予定。ライバルで世界シェア首位の韓国・サムスン電子は昨年中に64層製品の量産を開始している。
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東芝は22日、半導体の記憶装置であるNAND型フラッシュメモリーで、64層のシートを重ねて3次元の構造にし、容量を64GBに増やした製品のサンプル出荷を2月上旬に始めたと発表した。今年後半に量産を始める予定。ライバルで世界シェア首位の韓国・サムスン電子は昨年中に64層製品の量産を開始している。
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