【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
2021年12月16日 08時56分 公開
VTFET(左)とFET(右)の設計と電流の流れの比較図米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。
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