【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
2021年12月16日 08時56分 公開
VTFET(左)とFET(右)の設計と電流の流れの比較図米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。
2ちゃんねるニュース速報+ナビ
2021年12月16日 08時56分 公開
VTFET(左)とFET(右)の設計と電流の流れの比較図米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。
このサイトは5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)のニュース速報+系掲示板の書き込みを自動解析し、人気の高いニュース及び最新のニュースをリアルタイムで提供しています。
2NN現在閲覧者数 6926人/10min
5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)ニュース速報+系掲示板の情報をそれぞれ1分~10分間隔で自動取得・解析更新しています。
開発・運営:中島竜馬