【ハンギョレ新聞】サムスン電子・SKハイニックス、半導体の重要技術を中国に流出させた韓国の協力会社副社長に懲役1年
一審宣告…法人には4400万円の罰金
サムスン電子とSKハイニックスの半導体DRAMに関する重要技術を中国に流出させた韓国国内の協力企業の役員と職員らが、一審で懲役刑を宣告された。ソウル中央地裁刑事25-3部(チ・グィヨン裁判長)は、産業技術保護法違反などの疑いで起訴された韓国の半導体装備メーカーM社の副社長S氏に懲役1年を言い渡した。
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一審宣告…法人には4400万円の罰金
サムスン電子とSKハイニックスの半導体DRAMに関する重要技術を中国に流出させた韓国国内の協力企業の役員と職員らが、一審で懲役刑を宣告された。ソウル中央地裁刑事25-3部(チ・グィヨン裁判長)は、産業技術保護法違反などの疑いで起訴された韓国の半導体装備メーカーM社の副社長S氏に懲役1年を言い渡した。
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