【韓国】半導体技術中国に持ち出したサムスン電子元研究員に拘束令状
サムスン電子が独自開発した半導体核心技術を中国に持ち出した容疑を受けているサムスン電子元研究員に対し警察が拘束令状を申請した。ソウル警察庁安保捜査隊によると、サムスン電子元首席研究員は産業技術保護法違反容疑が持たれている。元研究員は2014年にサムスン電子が独自に開発した20ナノDRAM半導体技術工程図700件余りを無断で持ち出し、中国の半導体企業成都高真科技に渡した容疑を受けている。
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サムスン電子が独自開発した半導体核心技術を中国に持ち出した容疑を受けているサムスン電子元研究員に対し警察が拘束令状を申請した。ソウル警察庁安保捜査隊によると、サムスン電子元首席研究員は産業技術保護法違反容疑が持たれている。元研究員は2014年にサムスン電子が独自に開発した20ナノDRAM半導体技術工程図700件余りを無断で持ち出し、中国の半導体企業成都高真科技に渡した容疑を受けている。
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