【半導体】東芝とSKハイニックスがナノインプリントリソグラフィを共同開発、15nmプロセス以降に適用
東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型(モールド)をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。
東芝は2015年2月5日、韓国SKハイニックスと、次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)」の共同開発を行うことで正式に契約したと発表した。