【経済】東芝、256ギガビットの超大容量フラッシュメモリー開発 世界初の3次元48層プロセスで
東芝は4日、記憶容量を256ギガビットへと超大容量化した48層のメモリー半導体「3次元フラッシュメモリー」を世界で初めて開発した、と発表した。9月からサンプル出荷を始め、来年から量産出荷する。現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。メモリーカード、スマートフォンなどの小型機器からデータセンター用サーバーのシリコンディスクまで幅広い用途に供給する。
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東芝は4日、記憶容量を256ギガビットへと超大容量化した48層のメモリー半導体「3次元フラッシュメモリー」を世界で初めて開発した、と発表した。9月からサンプル出荷を始め、来年から量産出荷する。現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。メモリーカード、スマートフォンなどの小型機器からデータセンター用サーバーのシリコンディスクまで幅広い用途に供給する。
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