【半導体】Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
2017年05月29日 10時30分 更新
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。
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2017年05月29日 10時30分 更新
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。
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