【シリコン】半導体用高純度シリコンの収率を15%以上も改善に成功 太陽電池の生産コスト低減などに期待
物質・材料研究機構(NIMS)と筑波大学らの研究チームは2020年8月、半導体用の高純度シリコンを生成するシーメンス法で、シリコンの収率を現行より15%以上も高めることに成功したと発表した。新たに開発した水素ラジカル発生・輸送装置を用い、副反応物の発生を抑えることで実現した。今回の研究成果は、NIMS機能性材料研究拠点次世代半導体グループの角谷正友主席研究員と岡本裕二研修生(筑波大学大学院博士課程、現出光興産)および、筑波大学数理物質系物質工学域の鈴木義和准教授らによるものである。
